技术编号：10412788
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。由于铝碳化硅复合材料具有高导热率和可调的热膨胀系数，因此铝碳化硅的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片具有良好的匹配，能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到铝碳化硅基板上，这样，整个元器件的可靠性和稳定性大大提高。然而，现有的铝碳化硅复合材料IGBT基板的生产过程中，直接采用单模具的型腔结构进行铸渗形成IGBT基板;其成型过程中很难控制表面铝层厚度，且成型后容易变形，无法满足后续的机加要求，限制了 IGBT基板的生产，特别是大功率模块上的基板。实...
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