技术编号：10494532
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年，作为构成移动终端机等功率放大器模块的晶体管，应用异质结型的双极晶体管。这种双极晶体管被称为HBT(Hetero junct1n Bipolar Transistor异质结双极晶体管)。这里，对具备那样的双极晶体管的半导体装置的一个例子进行说明。如图27、图28以及图29所示，在双极晶体管中，子集电极层102形成为与半绝缘性GaAs基板101接触，集电极层103形成为与该子集电极层102接触。基极层104形成为与集电极层103接触，发射极层105形成为...
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