技术编号：10494573
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对于不同的应用而言，如下发射辐射的半导体器件，例如发光二极管是所期望的，所述半导体器件在红外光谱范围中发射辐射。已表明在近红外、例如在850nm的发射波长下发射辐射的器件中能够具有短波长的辐射份额，所述短波长的辐射份额还是能够由人眼感觉到的。为了避免这种辐射份额，将被放射的辐射的峰值波长朝更大的波长移动。然而，常规的硅检测器的灵敏度对于850nm之上的波长而言下降，使得难以检测该波长之上的辐射。发明内容本发明的目的是提出一种半导体器件，所述半导体器件的所发...
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