技术编号：10513855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。HEMT(High Electron Mobility Transistor)，高电子迁移率晶体管，是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、二维电子气场效应晶体管(2-DEGFET)、选择掺杂异质结晶体管(SDHT)等。这种器件及其集成电路既能够工作于超高频(毫米波)、超高速的微波器件领域，也能工作在高电压、大电流的电力电子器件领域，原因就在于它是利用具有很高迀移率的二维电子气和m族氮化物半导体优异物理特性(如宽带隙、高击穿场...
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