技术编号：10536775
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。超结(Super Junct1n)结构采用交替的P-N结结构取代单一导电类型材料作为漂移区，在漂移区引入了横向电场，使得器件漂移区在较小的关断电压下即可完全耗尽，击穿电压仅与耗尽层厚度及临界电场有关。因此，在相同耐压下，超结结构漂移区的掺杂浓度可以提高一个数量级，同时在同样的击穿电压下只需要更薄的EPI (外延层)作为漂移区，从而大大降低了器件的比导通电阻-Rsp，同时提高了 F0M(figUre of merit，品质因数)值。图1为一种超结器件的示意图...
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