技术编号：10545332
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 化学机械抛光(CMP)是用于对基底材料如半导体基材、光学基材和磁性基材进行 平坦化的常见技术。除了平坦化W外，要求抛光垫不会引入过多的缺陷，例如划痕或其它不 均匀结构。另外，电子工业的持续发展对抛光垫的平面化和缺陷度能力提出了更高的要求。 在CMP过程中，抛光垫与抛光液结合起来，W化学腐蚀和机械摩擦的方式除去过量 的材料，进行平坦化W接受随后的层。运些层W-定的方式堆叠起来形成集成电路。由于人 们需要具有更高运行速度、更低漏电电流和更低能耗的器件，所W运...
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