技术编号：10571409
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 平面栅工艺在中高压功率M0SFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)和IGBT(绝 缘栅双极型晶体管)等器件中一直为主流的技术。 平面栅工艺的源区制作涉及多套光刻版和工艺制造过程。具体而言，源区加工共 涉及P阱(Pbody)、N+区、P+区、接触孔四层光刻版，成本较高。同时由于N+区、P+区、接触孔的 互套对准精度影响，多层次的对偏会影响到参数和可靠性问题。 因此，如何在减少光刻成本情况下保证器件的结构实现，同时使产品的参数和可 靠性满足要求是本人员亟...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。