技术编号：10577560
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。已知将存储元晶体管三维排列而成的NAND(NotAND，与非)型闪存。发明内容本发明的实施方式提供一种能够降低消耗电力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第I导电型的第I阱、设置在第I阱的上方且包含第I存储元晶体管的存储元阵列以及与第I存储元晶体管连接的第I配线。在擦除第I存储元晶体管的数据时，对第I配线施加正的第I电位，且在擦除数据时，第I阱在电浮动状态下上升到正的第2电位。附图说明图1是第I实施方式的半导体存储装置的框图。图2是第I实施方式的...
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