技术编号：10577641
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着Si基半导体器件制造工艺的发展，特征尺寸的持续缩小正面临着巨大的挑战，即持续的特征尺寸的缩小会导致寄生电容的增加、短沟效应的恶化、热载流子的退变、漏电较严重等，导致器件性能下降。SOI，即绝缘层上硅，是一种具有“Si/绝缘层/Si”三层结构的新型Si基半导体衬底材料，SOI晶圆的埋绝缘层通常是S12,其热导率仅为硅的百分之一，阻碍了 SOI在高温、大功率方面的应用；其介电常数仅为3.9，易导致信号传输丢失，也阻碍了SOI材料在高密度、高功率集成电路中的...
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