技术编号：10587382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，以质量份数计，原料配比为氮化铝稀土氧化物其他金属氧化物＝80?1000?200?10。本发明提高了氮化铝基片的抗弯强度、致密度、导热性能、显微结构的均匀性，大大提高了基片的使用性能、使用稳定性、使用寿命，本方法制备的氮化铝基片相对于氧化铝基片以及其他方法制备的氮化铝基片具有明显的高热导率和长的使用寿命，可应用于高端精密设备。满足大功率集成电路对封装用基片的要求，在国防、航空航天、通讯、微电子领域内应用前景十分广阔。专利说明本发明涉及一种氮化...
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