技术编号：10625658
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 双内核栅氧（dual core G0X)工艺是目前应用在45nmLP (低功耗工艺）和28nm PloySION(多晶硅栅+氮氧硅绝缘层）工艺中用于增速的常规工艺，该工艺需要形成两种厚 度差2A左右的栅氧化层。举例来说，常规厚度的栅氧化层用于可以承受整个芯片的漏电流 的常规逻辑单元，厚度较薄的栅氧化层用于控制芯片速度的速推区域（speed push area)。 目前，为了使速推区域获得足够的饱和电流，在形成不同厚度的栅氧化层之后，利 用离子注入对速推区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。