技术编号：10625662
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 现有的集成电路生产工艺中有一类属于高压器件制造工艺，这类工艺通常使用较 厚（厚度大于200埃）的热氧化层作为高压器件的栅极氧化层。由于浅沟槽隔离（STI)本 身的结构特性，在STI的顶部拐角上生长的栅极氧化层通常要比在平坦的有源区生长的栅 极氧化层薄得多，一般很难通过工艺调整来改善形成于STI的顶部拐角上的栅极氧化层的 厚度。上述栅极氧化层的厚度的差异与STI的顶部拐角上的边缘效应相叠加，致使高压器 件的栅极电压-漏极电流（VG-ID)曲线表现出双驼峰（...
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