技术编号：10625758
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。SOI (SiIicon-On-1nsulator,绝缘衬底上的娃)技术是在顶层娃和背衬底之间存在一层预埋氧化层，有效降低了顶层硅和背衬底之间的寄生电容，且SOI基片还具备集成密度高、工艺简单、短沟道效应小、功耗小等突出优点，因此SOI基片被广泛应用于深亚微米的集成电路设计、MEMS传感器设计等领域。但是相关技术中，SOI基片根据设计需求对顶层硅进行不同厚度的加工，这就对顶层硅的加工和厚度检测提出了较高的要求，具体地，由于顶层硅在Ium以上厚度的淀积需要较...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。