技术编号：10625761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 化学机械抛光（Chemical Mechanical polishing，简称CMP)是一种常用的平坦化 工艺。在诸如半导体制造领域，CMP被广泛应用于氧化膜等层间绝缘层制备，以及聚合硅电 极、妈插塞、浅沟槽隔离结构（shallow trench isolation，简称STI)，以及铜互连结构制备 等工艺。 诸如在铜互连结构制备工艺中，在半导体晶圆内的沟槽，以及表面形成铜层后，将 CMP抛光设备的研磨头抵住半导体晶圆表面的铜层，并施加一研磨力，同时在铜...
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