技术编号：10625957
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属一氧化物一半导体场效应晶体管(MOSFET)是目前集成电路中的主流器件，根据摩尔定律，芯片上的晶体管特征尺寸在不断地缩小，使得芯片上的晶体管数量每隔18个月便会增加一倍。过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限。集成度的增加使得芯片功耗密度太大而面临散热困难。因此，业界一直尝试在材料和电路设计方面有所突破，同时积极寻找基于新结构和新原理的晶体管，突破现有的技术瓶颈。半浮棚■晶体管(Sem1-Floating-Gate...
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