技术编号：10658365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 对于高速电子装置而言，已经使电子装置中的半导体器件小型化。提出FinFET作 为半导体小型化技术的一个示例。在FinFET中，栅极可形成在从衬底突出的鳍上，以使得鳍 用作三维沟道。发明内容 本公开涉及一种具有提高的集成密度和性能的集成电路器件。 本公开涉及一种制造集成电路器件的方法。 根据示例实施例，一种集成电路器件包括衬底、在衬底上彼此间隔开的第一鳍式 有源区域和第二鳍式有源区域、衬底上的第一栅线和第二栅线、第一鳍式有源区域上的第 一接触结构以及第二鳍...
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