技术编号：10658373
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。作为电可写/可擦除非易失性半导体存储器件，已经广泛使用EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)。现在广泛使用的用闪存表示的这些存储器件，包括被MISFET的栅电极下面的氧化膜或俘获绝缘膜包围的导电浮置栅电极，浮置栅极或俘获绝缘膜中的电荷存储状态被制成为作为晶体管的阈值读出的存储信息。这种俘获绝缘膜是指能存储电荷的绝缘膜，作为示例可以引用氮化硅膜等。通过将电荷充电到这种电荷存储区或将电荷从这种电荷存储区释放，会改变MISFET的阈值，并会使MISFET作为存...
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