技术编号：10663451
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。集成电路和其它微结构化的元器件一般地通过在适合衬底(该衬底大多为硅晶片)上施涂多个经结构化的层来制造。为使这些层结构化，首先用光刻胶(抗蚀剂)覆盖这些层，所述光刻胶对特定波长范围的光敏感，例如对在深紫外(DUV,deep ultrav1let)、真空紫外(VUV,vacuum ultrav1let)或极紫外(EUV,extreme ultrav1let)光谱区域中的光敏感。随后将这样涂覆的晶片在投影曝光设备中曝光。在此，借助投影透镜将设置在掩膜上的由衍射结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。