技术编号：10663828
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。图1是传统的单片IC互连架构的横截面视图。单片IC通常包括制造在衬底101上方的若干无源和/或有源器件，诸如金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等。这些器件是由包埋在提供电隔离的电介质材料(例如，105和115)的层内的金属互连的级来单片地集成的。随着器件尺寸从一个技术代至下一个技术代而缩小，期望也缩小互连金属线尺寸和相邻互连线110与111之间的间隔CDs。然而，随着互连的尺寸缩小，旨在被电隔离的线之间的最小距离非常快速地减小。这是因为最小距...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。