技术编号:10666088
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。功率场效应管主要包括垂直双扩散场效应管(VDMOS,Vertical Double-DiffusedM0SFET)和横向双扩散场效应管(LDMOS,Lateral Double-Diffused M0SFET)两种类型。其中,相较于垂直双扩散场效应管(VDMOS),横向双扩散场效应管(LDMOS)具有诸多优点,例如,后者具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻,以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路。现有技术中,一种常规的N型...
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