技术编号：10688997
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体制造工业中的趋势是将复合半导体器件的不同半导体组件集成到常用的半导体结构内。这样的集成有利地允许更低的制造成本、简化的制造工序和增加的运行速度。一种类型的复合半导体器件是嵌入式闪存器件。嵌入式闪存器件包括闪存单元的阵列和支持闪存单元的运行的逻辑器件。发明内容本发明的实施例提供了一种用于制造嵌入式闪存器件的方法，所述方法包括形成存储浅沟槽隔离(STI)区和逻辑STI区，所述存储STI区和所述逻辑STI区分别延伸至半导体衬底的存储区和逻辑区内，其中，所述...
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