技术编号：10689128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘棚.双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其开关速度虽较功率MOS低，但远高于BJT，又因是电压控制器件，控制电路简单，稳定性好，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。具有MOS输入、双极输出功能的M0S、双极相结合的特点，现已成为电力电子领域的新一代主流产品。IGBT作为一种双极...
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