技术编号:10801714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在采用西门子法进行还原多晶硅时,由于硅棒为带电体,炉体为金属物质,因此炉体要和硅棒进行绝缘。而在多晶硅生长的过程中,可能会接触到还原炉壁,从而使绝缘体上附着一层多晶硅粉末,由于多晶硅为半导体,电阻率会随着温度的升高急剧降低,因此对绝缘有破坏作用。而温度又决定了多晶硅生长快慢,直接影响到多晶硅生产厂商的经济利益,所述依靠传统的人工测量已经无法满足生产的需要。因此,研制出一种检测速度快,检测精度高的接地检测柜,便成为业内人士亟需解决的问题。实用新型内容针对相关...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。