技术编号：10817947
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体设备越来越精细化，在半导体薄膜的生产工艺上，要求高效率的同时也要保证高质量。半导体用沉积设备CVD(Chemical Vapor Deposit1n)时，对反应影响最大的参数是原料气、温度、RF电力、压力等，尤其是温度在薄膜沉积设备中，能左右分辨能力的核心要素。为此，在chamber下部安装加热器能调节温度。半导体用沉积设备，在chamber的上部施加13.56MHz和370KHz的RF电压。加热系统装在chamber下部，对与尺连接的加热器(发...
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