技术编号：11051120
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶硅太阳电池技术领域，尤其涉及为了解决方阻不均而设计的一种晶硅太阳电池正面电极结构。背景技术太阳能光伏产业的迅速发展，随着浆料网版技术的不断发展，为了提高晶硅太阳电池的转换效率，都在追求高阻密栅。晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要扩散更高的方阻，配合更细的副栅线印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。在进行扩散工艺的过程中，为了追求更高的方阻，方阻的均匀性就会受到影...
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