技术编号：11064281
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关一种化合物半导体集成电路的电路布局方法，尤指一种具有提高化合物半导体集成电路的抗湿能力的化合物半导体集成电路的电路布局方法。背景技术在一化合物半导体集成电路(compoundsemiconductorintegratedcircuits)中，当两不同电位的金属层需要交错跨接(cross-connect)时，两金属层之间于交错跨接的区域需做好隔离。一般现有技术是形成以聚酰亚胺(Polyimide)所构成的一隔离层来隔离两不同电位的金属层的交错跨接，通常是在一底金属层之上涂布一层聚酰亚胺的...
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