技术编号：11092703
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅纳米材料领域，特别涉及一种碳化硅纳米材料的制备方法。背景技术以硅为代表的第一代元素半导体和以砷化镓为代表的第二代化合物半导体大大推动了微电子技术和光电子技术的发展，但是由于材料本身性能的限制，其器件应用也趋于极限。与硅和砷化镓等传统半导体材料相比，碳化硅拥有很多优良的特性，比如带隙宽，热导率高，临界击穿电场高，电子饱和迁移速率高，抗氧化抗腐蚀耐高温能力强等。因此以碳化硅为代表的第三代半导体受到了人们极大的关注，碳化硅在制备高温、高频、大功率、光电子及抗辐射器件等方面具有巨大的潜力...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。