技术编号：11110213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造硅晶锭的晶种卡盘和包含该晶种卡盘的晶锭生长装置。背景技术根据用于生产半导体器件的硅晶片的大规格直径，使用通过切克劳斯基(CZ)工艺(以下称为CZ工艺)生长的硅单晶锭来制造硅晶片。在CZ工艺中，将多晶硅放入石英坩埚中，通过石墨坩埚加热石英坩埚以熔化多晶硅，使晶种与熔融硅接触，旋转晶种并将其提起，使得在其之间的界面处发生结晶，且可以生长具有期望直径的硅单晶锭。当在CZ工艺期间生长晶锭时，热量排放到石英坩埚的上侧。当排放的热量过多时，由于热量损失和功率损失的增加且过多的热量施加到...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。