技术编号：11141381
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。对氧化物的选择性优于对多晶硅和氮化物选择性的具高移除速率及低缺陷率的CMP组合物背景技术用于平坦化或抛光基材表面的组合物和方法是本领域中公知的。抛光组合物(也称为抛光浆料)典型地含有在液体载剂中的研磨材料并通过使表面与用抛光组合物饱和的抛光垫接触而施加至所述表面。典型的研磨材料包括二氧化硅、铈氧化物、铝氧化物、锆氧化物、及锡氧化物。抛光组合物典型地与抛光垫(例如抛光布或圆盘)结合使用。代替被悬浮于抛光组合物中，或者，除了被悬浮于抛光组合物中之外，研磨材料可被引入抛光垫中。作为用于隔离半导体器件的...
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