技术编号：11161481
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于选择性沉积的方法与设备背景技术领域本文所述实施例总体上涉及用于在半导体基板上形成三维结构(诸如，鳍式场效晶体管(FinFET))的方法。更具体地，实施例涉及用于通过利用选择性沉积工艺在三维结构的不同位置处用不同材料在半导体基板上形成该结构的方法。背景技术图1A(现有技术)图示鳍式场效晶体管(FinFET)150的示例性实施例，FinFET150置于基板100上。基板100可以是硅基板、锗基板或由其他半导体材料形成的基板。在一个实施例中，基板100可包括p型或n型掺杂剂掺杂于内。基板100包括...
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