技术编号：11161585
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可光图案化组合物、图案化的高介电薄膜电介质及相关装置。背景技术对于用于减少新的可挠性/印刷电子产品技术所需的操作电压的高k介电材料的研究一直有更高的兴趣。例如就有机场效应晶体管(OFET)而言，虽然根据常规的SiO2电介质(k≈4，介电厚度～200-300纳米)的装置典型地是在30-50V之间电压下操作，而根据常规的有机电介质(k<10)的装置典型地于介于50-100V之间电压下操作，但是最近的研究已证明具有高k(例如k>10)栅极电介质的OFET可以于很低的电压(≤40V...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。