技术编号：11193389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及真空设备领域，特别是一种低温真空蒸发源设备。背景技术镀膜技术是最初起源于20世纪30年代，直到70年代后期得到较大发展。20世纪60年代，为了满足微波和光学器件的要求，人们一直希望得到高质量的低维材料。分子束外延(MBE)作为一种能够提供更高质量的薄膜生长的方法应运而生。MBE是一种在超高真空的环境下(10-8pa)下外延生长高质量单品薄膜和纳米结构生长技术。其过程为加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到固体(称为衬底或基片)表面，沉积的原子...
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