技术编号：11203217
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属半导体器件制备技术领域，特别涉及一种纵向结构LED及其制备工艺。背景技术近年来，随着光通信技术的发展，高速光纤通信系统对半导体LED要求也越来越高，集成化的发展趋势要求半导体LED与其他光电器件集成。如果能将它们集成在一个芯片上，信息传输速度，储存和处理能力将得到大大提高，这将使信息技术发展到一个全新的阶段。因此，对发光器件的研究，已成为当前领域内研究的热点和重点。Ge半导体是间接带隙材料，通过引入低强度张应变结合n型重掺杂的能带工程手段，其可转变为准直接带隙半导体。理论上，基于其所制作...
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