技术编号：11203302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅基有机发光器件领域，尤其涉及一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法。背景技术在现有的硅基有机发光的器件结构中，底电极一般为三层或五层结构，通常为钛、氮化钛、铝、钛、氮化钛的垂直五层结构，如授权公告号为“CN102629667B”发明名称为“硅基顶发射有机发光微显示器件及其制备方法”中公开了这种结构，其公开的技术方案中，连接底电极的通孔设置在底电极中间，容易造成底电极表面或侧面不平整，如图1所示。另外，五层垂直的底电极结构总体高度较高，在底电极上铺设有机发光层时，也容易形成不平和褶...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。