技术编号：11212069
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及量子点领域，具体地说是关于不仅具有不区分核与壳的晶界缺陷最小化的连续的结晶成长结构，而且形成起到防止气体渗透作用的金属氧化膜，确保量子点结构稳定性，并能防止因从外部渗透的水、氧而发生的光退化的量子点的制备方法以及由此制备的量子点的内容。背景技术量子点与有机化合物不一样，根据控制含有半导体成分的纳米粒子的大小及组成成分，能够轻易调节能带隙，表现出各种波长的光，并且和有机染料、荧光体等不一样，能够以非常窄的半峰宽再现出高纯度的颜色，具有很高的理论的量子效率以及宽的吸收带宽等优秀的光学特征。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。