技术编号：11235629
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭示案是有关于静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory,SRAM)及制造SRAM的方法，且更特定言之，是关于SRAM中的互连及制造此SRAM中的互连的方法。背景技术当静态随机存取记忆体(staticrandomaccessmemory,SRAM)配备有电力时，通常使用SRAM进行数据储存。为满足可携式电子及高速计算的需求，期望将更多包括交叉耦合反相器的数据储存单元整合至单一SRAM晶片并降低其功耗，例如通过用具有更小尺寸及更低功耗的垂直晶体管取代已知晶体管。然而，在...
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