技术编号：11237288
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置。背景技术以往，电力变换装置所使用的半导体元件的主流是GTO晶闸管及GCT等压接型半导体。但是近年来，IGBT等自消弧元件成为主流，将多个自消弧元件串联连接而使用的例子不断增多。作为一个例子，已知将多个自消弧元件串联连接而构成1个桥臂的技术。IGBT等自消弧元件与上述的压接型半导体相比通断速度更快。存在下述问题，即，在桥臂截止时，如果对构成桥臂的各个自消弧元件没有均匀地施加电压，则会对特定的半导体元件施加过电压。关于这一点，在下述专利文献1(日本特开2004－140891...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。