技术编号：11275132
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路技术领域，涉及一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，可用于数字电路设计和仿真中阈值电压的提取和分析。背景技术反相器是将输入信号的相位反转180度的电路。常见反相器有两种，分别是TTL非门和CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)反相器。TTL非门的输入结构和输出结构均由半导体三极管和电阻构成。CMOS反相器由两个增强型MOS(MetalOxideSemiconductor，金属氧化物半导体)组成，分别为NM...
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