技术编号:11283813
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。旋涂硬掩膜材料发明领域本专利申请是在用于半导体制造的成像的领域中并且更具体地是在使用旋涂(spin-on)制剂的蚀刻掩蔽(etchmasking)的领域中。背景半导体装置的最小特征尺寸继续收缩以能够增加装置密度。实现这样的高密度图案化(patterning)的一种方法是使用薄的光致抗蚀剂膜以缓解问题:在显影之后高纵横比抗蚀剂(resist)特征的此类图案塌陷(patterncollapse)。该问题的一种可能的解决方案包括使用高分辨率、高灵敏度和高蚀刻耐久性(etchdurability)的富勒...
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