技术编号:11285821
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及自立基板、功能元件及其制造方法。背景技术提出有以下内容:在取向多晶基板上形成氮化镓的晶种,然后,形成厚膜的氮化镓,由此,制作由在大致法线方向上具有单晶结构的多个氮化镓系单晶粒子构成的多晶氮化镓自立基板(专利文献1、2)。另外,还提出有以下内容:在通过助熔剂法在熔液内制造13族元素氮化物结晶时,通过对13族元素原料、碱金属和碱土金属中的至少一方原料以及液体的锗原料的组合物进行加热而生成熔液(专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1:WO2014/192911A1专利文献2:日本特许第...
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