技术编号：11289705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般来说涉及半导体装置，且更明确地说涉及半导体装置中的III-N场效应晶体管。背景技术增强模式氮化镓场效应晶体管(GaNFET)包含凹陷栅极，所述凹陷栅极延伸到应力源层及势垒层中且与经低掺杂氮化镓(GaN)层垂直分离。通过蚀刻而形成栅极凹部以与经低掺杂GaN层具有所要垂直分离是有问题的。定时蚀刻在与经低掺杂GaN层的分离中会产生不可接受变化。使用蚀刻阻挡层来形成栅极凹部会在势垒层及/或应力源层中产生缺陷。发明内容在所描述实例中，一种在III-N层堆叠上含有增强模式GaNFET的半导体装置包...
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