技术编号:11291622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,具体地,为一种锲形形状薄膜的制备方法。背景技术在IC、MEMS等半导体器件的生产加工过程中,往往需要在某种图形化后的薄膜材料上淀积别的薄膜材料。采用一般常用的图形化方法制备该薄膜材料,其边缘往往呈现九十度的直角,在该边缘位置淀积别的薄膜材料时,容易引起新淀积的薄膜材料出现裂纹,薄膜缺陷极大的影响了器件的性能及可靠性。最典型的例子如在制备薄膜体声波谐振器的过程中,在沉积完薄膜体声波谐振器的下电极薄膜后会对其进行图形化以形成下电极,然后再在图形化后的下电极上生长压电薄膜。由...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。