技术编号：11330156
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种阻气性膜。背景技术在挠性电子设备，特别是挠性有机EL设备中，可使用阻气性膜作为基板膜或密封膜。对用于这些设备的阻气性膜要求较高阻隔性。一般而言，阻气性膜通过利用蒸镀法、溅射法、CVD法等气相成膜法在基材膜上形成无机阻隔层来制造。近年来，开始研究对在基材上涂布溶液而形成的前体层施加能量，从而形成阻气层的制造方法。特别是广泛进行使用聚硅氮烷化合物作为前体的研究，作为兼具基于涂布的高生产性和阻隔性的技术正在进行研究。特别是使用有波长172nm的准分子光的聚硅氮烷层的改性备受关注。在此，在...
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