技术编号:11348827
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体生长控制系统,尤其涉及一种晶体生长过程高精度温度控制系统,属于生产过程设备领域。背景技术KDP(磷酸二氢钾,KH2PO4)晶体是20世纪30~40年代发展起来的一类优良的电光非线性光学材料。因其具有较大的电光和非线性光学系数、高的光损伤阈值、低的光学吸收、高的光学均匀性和良好的透过波段等特点而被广泛应用于激光、电光调制和光快速开关等高技术领域。KDP晶体是在水溶液中生长的,晶体生长的驱动力来源于溶液的过饱和度。由于KDP型晶体在水中的溶解度及其温度系数均较大,且溶液准稳定区也较...
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