技术编号：11388168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本揭露内容实施例是有关一种半导体装置与其制造方法。背景技术在半导体结构和制造半导体的制程中已有许多的发展，这些发展有助于缩小半导体的体积并增加集成电路的效能。当栅极长度持续缩小，在邻近的元件间减少寄生效应和避免短路变得相当困难。更明确地说，当晶体管和其连接的源极/漏极接触的距离因为单位晶胞缩小而变得更小时，可能会造成栅极和接触之间的短路。发明内容根据本揭露内容的多个实施方式，是提供一种半导体装置，半导体装置包含晶体管的第一导电图栅极图案、沿着栅极图案侧壁的第一侧壁间隔件、和第一侧壁间隔件接触并具...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。