技术编号：11434103
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器领域，尤其是涉及具有改进的片内端接(on-dietermination，ODT)结构的存储系统、存储器模块以及该存储器模块的控制方法。背景技术传统的动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)模块通常包括片内端接(on-dietermination，ODT)用于信号线路的阻抗匹配，通过使用片内端接可以减少信号失真。传统的片内端接通常连接到诸如接地电压的参考电压，然而，这种设计不能优化信号质量。发明内容有鉴于此，本发明提供一种存储系统、存储器模...
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