技术编号：11451855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。多芯片双写入背景技术本申请涉及对如半导体闪存等可重新编程非易失性存储器的操作。能够对电荷进行非易失性存储的固态存储器(特别是采取被封装为小形状因数卡的EEPROM和闪速EEPROM的形式)已经变成各种移动和手持式设备(尤其是信息电器和消费者电子产品)中的精选存储设备。不像同样作为固态存储器的RAM(随机存取存储器)，闪存是非易失性的并且甚至在关掉电源之后保留其存储数据。而且，不像ROM(只读存储器)，类似于磁盘存储设备，闪存是可重写的。闪速EEPROM类似于EEPROM(电可擦除可编程只读存储器...
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