技术编号：11459835
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体激光器和液晶物理学领域，尤其涉及一种独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法。背景技术随着光纤通信技术及光纤传感等领域的快速发展，窄线宽半导体激光器得到了越来越广泛的应用。对光源而言，其单模输出稳定性和线宽是两项十分重要的指标。相比于边发射激光器，垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有更短的有效腔长，所以VCSEL的纵模间距更大，具有较好的单纵模激射特性，然而较短的有效腔长也造成VCSEL线宽较大，降低光响应灵敏度。波长可调谐VCSEL在生物传感、空气污染物检测、原子钟等...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。