技术编号:11487405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种III-V族半导体MOSHEMT器件技术领域本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种III-V族半导体MOSHEMT器件。背景技术目前半导体工业的主流是硅技术,随着半导体技术最小尺寸发展到纳米尺度,硅集成电路技术日益逼近其理论和技术的双重极限。而III-V族半导体材料相比硅材料具有更高的电子迁移率(6-60倍)和在低电场和强场下具有更加优异的电子输运性能等特性,因此,III-V族半导体材料将是新一代超高频低功耗集成电子系统的必然选择。然而,传统的GaAsHEMT的沟道二维电子气浓度和电...
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