技术编号：11499110
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化镓基板的生成方法，从氮化镓(GaN)锭生成具有规定的厚度的氮化镓基板。背景技术由于氮化镓(GaN)的禁带宽度(bandgap)比硅大3倍，绝缘破坏电压也高，所以作为功率控制用的半导体元件(功率器件)来进行利用。例如，在功率器件晶片中，在氮化镓基板的上表面上在由格子状排列的多条分割预定线划分的多个区域内形成有功率器件，沿着分割预定线将该功率器件晶片分割成各个功率器件，并应用于个人计算机、汽车等控制装置中。关于上述的构成功率器件晶片的氮化镓基板，利用线切割机对氮化镓(GaN)锭进行切片...
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